文献综述
如下1.引言近年来，随着光伏技术的不断发展，单晶硅和多晶硅太阳能电池已占据90%以上的市场份额[1]。
然而，传统的多晶硅晶硅片不再与钝化发射极和后电池（PERC）技术兼容，因为与单晶硅晶片相比，其晶界，位错和金属杂质的浓度更高[2]。
用于生产单晶硅晶片的铸造技术再次成为业界的研究重点，因为单晶状晶体电池的性能与单晶对应物相当，制造成本接近多晶电池。
然而，与传统的柴可拉斯基单晶硅晶片相比，铸造块内仍有一小部分晶粒尺寸相对较小的多晶区域[3，4]。
因此，多晶区域总是与单个晶圆内的单晶区域共存[5]。
近年来，人们不断努力进一步提高单晶硅晶片[6，7]和单晶状硅太阳能电池[8，9]的转换效率。
对于晶 硅太阳电池来说，虽然p型电池仍占据市场主流， 但拥有低衰减、高效率等优势的n型晶硅电池正逐 渐受到关注。
与 p型硅材料相比，n 型硅材料可从根 本上消除光衰的隐患［10］ 。
因铁等常见金属杂质对电 子的俘获截面比对空穴的俘获截面大 ，故在低注入情况下，n型硅比 p型硅具有更长的少子寿命［11］ 。
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