摘要
纳米材料因其独特的物理化学性质，在光电、催化、生物等领域展现出巨大的应用潜力。
CdSe作为一种重要的II-VI族半导体纳米材料，具有优异的光电性能，近年来备受关注。
然而，CdSe纳米晶也存在一些不足，如光生载流子复合率高、稳定性差等，限制了其进一步应用。
掺杂是调控半导体纳米材料结构和性能的有效手段。
Cu作为一种常见的掺杂元素，其掺杂能够有效改变CdSe纳米晶的电子结构和光电性质，从而改善其性能。
本文综述了Cu掺杂CdSe纳米晶的制备方法、性能调控及其应用研究进展，并展望了其未来发展方向。
关键词：Cu掺杂；CdSe纳米晶；制备；性能；应用
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度(1-100nm)的材料，其具有量子尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应等特性，使其在光学、电学、磁学、催化等方面展现出许多独特的性能，在能源、信息、环境、生物医药等领域具有广阔的应用前景[1]。
半导体纳米晶作为一种重要的纳米材料，由于其独特的电子结构和光学性质，近年来引起了人们的广泛关注。
CdSe纳米晶作为一种II-VI族半导体材料，具有较窄的直接带隙(约为1.7eV)、较高的消光系数、较强的光吸收和发射能力，在太阳能电池、光电探测器、生物成像等领域具有重要的应用价值[2]。
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