基于忆阻器的多谐振荡器电路设计文献综述

 2024-06-24 17:33:17
摘要

多谐振荡器作为一种基本的信号产生电路,在电子电路中应用广泛,例如时钟信号生成、频率调制、波形发生等。

传统的基于晶体管或集成运放的多谐振荡器电路,存在着功耗高、尺寸大、可调谐性差等缺点。

忆阻器作为一种新型的非线性电路元件,具有非易失性、低功耗、可微缩等优点,为多谐振荡器电路的设计提供了新的思路。

本文首先介绍了忆阻器的基本概念、特性和模型,然后综述了基于忆阻器的多谐振荡器电路的研究现状,分析了不同电路结构的特点和性能,并对未来的发展趋势进行了展望。

最后对全文进行了总结。


关键词:忆阻器;多谐振荡器;非线性电路;混沌电路;电路设计

1相关概念解释

#1.1忆阻器忆阻器(Memristor)是一种新型的非线性无源电路元件,它表示磁通量和电荷之间的关系。

忆阻器的电阻会随着流经它的电流大小和方向而改变,并且在断电后依然能够保持这种状态,这使得它具有非易失性的特点,可以用于构建新型的存储器、神经网络等电路。


#1.2多谐振荡器多谐振荡器是一种可以产生矩形波的电子振荡器电路,它不需要外部触发信号即可自动地从一种状态切换到另一种状态,并在两种状态之间不断循环。

多谐振荡器电路通常由晶体管、电阻、电容等元件构成,其输出频率和占空比可以通过调节电路参数来改变。

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