低噪声放大器（LNA）作为毫米波接收机前端的核心组件，其性能直接影响着整个系统的灵敏度和动态范围。
76-81GHz频段作为毫米波的重要频谱资源，在汽车雷达、5G通信、射电天文等领域有着广泛的应用前景。
本篇文献综述首先介绍了低噪声放大器的基本概念、噪声参数以及76-81GHz频段的应用背景；其次，重点概述了近年来国内外在76-81GHz低噪放设计与实现方面的研究进展，包括不同材料体系（CMOS、GaNHEMT等）和不同设计方法（级联结构、噪声消除技术、电感peaking技术等）的研究现状；然后，对各种主要研究方法的优缺点进行了比较分析；最后，总结了76-81GHz低噪放领域面临的挑战以及未来发展趋势，为该领域的研究提供参考。
关键词：低噪声放大器；76-81GHz；CMOS；GaNHEMT；毫米波
随着无线通信技术的飞速发展，对更高频谱资源的需求日益迫切。
毫米波频段，特别是76-81GHz频段，以其丰富的带宽资源和高分辨率等优势，成为了下一代无线通信、雷达探测、射电天文等应用领域的热门研究方向。
低噪声放大器（LowNoiseAmplifier,LNA）作为接收机前端的关键组件，其主要作用是将微弱的射频信号放大，同时尽可能降低自身引入的噪声。
LNA的性能指标，例如噪声系数（NF）、增益（Gain）、线性度（Linearity）和功耗（PowerConsumption）等，直接决定了整个接收系统的灵敏度、动态范围和功耗水平。
因此，设计高性能的毫米波LNA对于推动76-81GHz频段应用的发展至关重要。
近年来，随着半导体工艺技术的进步和毫米波电路设计方法的不断创新，76-81GHz低噪放的研究取得了显著进展。
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