文献综述
光伏市场目前由基于晶片的晶体硅（Si）太阳能电池主导。
在考虑到俄歇复合效应的前提下，为了硅太阳能电池达到超高效率(已接近理论极限)29%，那么钝化接触就是一个很具有吸引力的选择。
具体而言，钝化接触减少了太阳能电池接触处的复合损耗，因为太阳能电池接触处的复合构成了主要损耗机制，从而提高太阳能电池的开路电压及效率。
[0003] 目前，为了形成钝化接触(例如，用于电子提取的Si0/n poly-Si或用于空穴提取Si0/p poly-Si)，通常采用双面沉积方法，尤其是管式沉积工艺。
例如，采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备隧穿Si0、层，然后沉积本征多晶硅(poly-Si)薄膜。
随后采用扩散掺杂工艺对本征多晶硅薄膜进行掺杂。
由于是在管道中进行操作，于是制备SiO/poly-Si钝化接触所需的所有层和扩散过程通常就会硅晶片的两面形成，而硅晶片的每一面都需要每种类型的钝化接触(用于电子提取的Si0，/n poly-Si或用于空穴提取的Si0，/p poly-Si)。
如果制造双面钝化接触的太阳能电池，过程中还包括制备掩膜和随后去除掩膜的步骤。
那么就会需要大量工艺步骤来实现。
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