GaAs作为一种重要的III-V族化合物半导体材料，在光电子器件领域有着广泛的应用。
LO声子-等离子体耦合模是GaAs材料中的一种重要物理现象，它反映了材料中晶格振动与自由载流子之间的相互作用。
拉曼光谱作为一种无损的光谱探测技术，可以有效地探测材料中LO声子-等离子体耦合模的特征频率、线宽等信息，进而研究材料的电子结构、载流子浓度、晶格振动等性质。
本文将综述GaAs中LO声子-等离子体耦合模的拉曼光谱分析研究进展，首先介绍LO声子-等离子体耦合模和拉曼光谱的基本原理，然后回顾GaAs中LO声子-等离子体耦合模的拉曼光谱研究历史和现状，重点阐述拉曼光谱在研究GaAs材料电子浓度、温度、应力等因素对LO声子-等离子体耦合模影响方面的应用，最后展望GaAs中LO声子-等离子体耦合模的拉曼光谱分析研究方向。
关键词：GaAs；LO声子-等离子体耦合模；拉曼光谱；电子浓度；晶格振动
砷化镓（GaAs）作为一种直接带隙III-V族化合物半导体材料，具有高电子迁移率、高电子饱和漂移速度以及良好的光电特性，在微电子和光电子器件领域有着广泛的应用，例如高速晶体管、激光二极管、发光二极管等[13,14]。
GaAs材料中的晶格振动和自由载流子相互作用，形成LO声子-等离子体耦合模，其特征频率和线宽等信息对GaAs材料的电子结构、载流子浓度、晶格振动等性质有着重要的影响[15]。
拉曼光谱作为一种无损的光谱探测技术，可以有效地探测材料中LO声子-等离子体耦合模的特征频率、线宽等信息[11,12]。
通过分析拉曼光谱，可以研究GaAs材料的电子结构、载流子浓度、晶格振动等性质，进而优化GaAs材料的制备工艺和器件性能。
因此，GaAs中LO声子-等离子体耦合模的拉曼光谱分析成为了研究GaAs材料的重要手段之一。
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