摘要
C3N作为一种新型类石墨烯二维材料，具备优异的力学、电学、光学等性质，在电子器件、能源存储、催化等领域展现出巨大的应用潜力。
近年来，空位缺陷工程作为一种有效的策略，被广泛应用于调控和优化C3N的性能。
本文综述了空位缺陷对C3N光电性质影响的研究进展，首先介绍了C3N材料的结构特点和性质，以及空位缺陷的类型和表征方法。
其次，重点阐述了不同类型空位缺陷(包括碳空位和氮空位)对C3N能带结构、光吸收、载流子浓度和迁移率等光电性质的影响机制。
最后，展望了空位缺陷工程在C3N材料光电领域应用的挑战和未来发展方向。
关键词：C3N；空位缺陷；光电性质；第一性原理计算；密度泛函理论
近年来，二维材料以其独特的物理化学性质和广阔的应用前景引起了人们的广泛关注。
其中，石墨相氮化碳（g-C3N4）作为一种典型的二维材料，由于其成本低廉、易于合成、结构稳定等优点，在光催化、能源存储、环境治理等领域展现出巨大的应用潜力[1-4]。
然而，g-C3N4也存在一些不足，例如光生载流子复合率高、可见光吸收范围窄等，限制了其进一步的应用。
为了克服这些缺点，研究者们尝试了多种方法对g-C3N4进行改性，其中空位缺陷工程被认为是一种简单有效的策略[5-7]。
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